řada: NTB MOSFET NTBG080N120SC1 N-kanálový 30 A 1200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 205-2450
- Výrobní číslo:
- NTBG080N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 205-2450
- Výrobní číslo:
- NTBG080N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | NTB | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 3.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 179W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.7mm | |
| Normy/schválení | This Device is Pb-Free and is RoHS | |
| Výška | 4.3mm | |
| Délka | 15.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada NTB | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 3.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 179W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.7mm | ||
Normy/schválení This Device is Pb-Free and is RoHS | ||
Výška 4.3mm | ||
Délka 15.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
ON SEMICONDUCTOR karbid křemíku (SIC) N-kanál MOSFET používá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání se Silicon. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla. Výhody systému proto zahrnují nejvyšší účinnost, provozní frekvenci Faster, zvýšenou hustotu výkonu, snížené EMI a sníženou velikost systému.
Nízký odpor 80mohm
Vysoká teplota spoje
Mimořádně nízké nabití hradla
Nízká účinná výstupní kapacita
Související odkazy
- řada: NTB MOSFET Typ N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG040N120SC1 N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 185 A 150 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení