řada: TrenchFET MOSFET SI1401EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 12 V Vishay, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-7898
Výrobní číslo:: SI1401EDH-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI1401EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 12 V Vishay, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

59,125 Kč

(bez DPH)

71,55 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 2 900 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	2,365 Kč	59,13 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7898
Výrobní číslo:: SI1401EDH-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	12V
	Řada	TrenchFET
	Typ balení	SOT-363
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	34mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	14.1nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.8W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	2.2mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 12V
	Řada TrenchFET
	Typ balení SOT-363
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 34mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 14.1nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 2.2mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.1mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž P-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 12V a maximální hradlo-zdroj napětí 10V. Má odpor zdroje vypouštění 34mohm při napětí zdroje hradla 4,5V. Má maximální rozptyl výkonu 2,8 W a trvalý vypouštěcí proud 4A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor je 1.5V a 4.5V příslušně. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

• typický výkon ESD 1500V

Aplikace

• mobilní telefon

• DSC

• GPS

• Spínač zátěže

• MP3

• PA přepínač a baterie pro přenosná zařízení

• přenosná herní konzole

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• testováno RG