řada: TrenchFET Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 12 A 30 V Vishay, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
165-7182
Výrobní číslo:
SIA449DJ-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

TrenchFET

Typ balení

SOT-363

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

0.038Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

19W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

-0.8V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

23.1nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.8mm

Normy/schválení

RoHS

Délka

2.15mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.