řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-7181
- Výrobní číslo:
- SI2337DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
31 578,00 Kč
(bez DPH)
38 208,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 9 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 10,526 Kč | 31 578,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-7181
- Výrobní číslo:
- SI2337DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.303Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -50°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.02mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21 | |
| Délka | 3.04mm | |
| Šířka | 1.4 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.303Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -50°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.02mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21 | ||
Délka 3.04mm | ||
Šířka 1.4 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 2.7 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
