řada: SI MOSFET SI1480BDH-T1-GE3 N-kanálový 1.9 A 100 V Vishay, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9890
- Výrobní číslo:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
11 787,00 Kč
(bez DPH)
14 262,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,929 Kč | 11 787,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9890
- Výrobní číslo:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SOT-363 | |
| Řada | SI | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.212Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.7W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SOT-363 | ||
Řada SI | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.212Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.7W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
100% testování Rg a UIS
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Související odkazy
- řada: SI MOSFET SI1480BDH-T1-GE3 N-kanálový 1.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: SiA462DJ MOSFET SIA462DJ-T1-GE3 N-kanálový 12 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI1411DH-T1-GE3 Typ P-kanálový 0.52 A 150 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI1401EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SIA449DJ-T1-GE3 Typ P-kanálový 12 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: SI2324BDS MOSFET SI2324BDS-T1-GE3 N-kanálový 1.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SI2328DS-T1-GE3 N-kanálový 1.15 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- řada: SI MOSFET SI2392BDS-T1-GE3 N-kanálový 1.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
