AEC-Q101, řada: SQM TrenchFET výkonový MOSFET Typ P-kanálový 120 A 60 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1
- Skladové číslo RS:
- 180-7405
- Výrobní číslo:
- SQM120P06-07L_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
33 671,20 Kč
(bez DPH)
40 742,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 600 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 + | 42,089 Kč | 33 671,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7405
- Výrobní číslo:
- SQM120P06-07L_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | TrenchFET výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SQM | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0067Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 270nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Výška | 0.19in | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Šířka | 0.41 in | |
| Délka | 0.625in | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu TrenchFET výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SQM | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0067Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 270nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Výška 0.19in | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Šířka 0.41 in | ||
Délka 0.625in | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET Vishay
Vishay MOSFET je P-kanál, TO-263-3 balení je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 60V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 6.7mohm na napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 375W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Halogenová a olověná (Pb) volná složka
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 175°C.
• balíček nízkou tepelnou odolnost
• TrenchFET napájení MOSFET
Aplikace
• přepínače adaptéru
• spínače zátěže
• notebooky
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-236, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SUM60061EL-GE3 Typ P-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení