AEC-Q101, řada: SQM TrenchFET výkonový MOSFET SQM120P06-07L_GE3 Typ P-kanálový 120 A 60 V, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
180-7405
Výrobní číslo:
SQM120P06-07L_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

TrenchFET výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

120A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

TO-263

Řada

SQM

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.0067Ω

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

270nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

0.625in

Výška

0.19in

Normy/schválení

AEC-Q101, RoHS

Šířka

0.41in

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

AEC-Q101

MOSFET Vishay


Vishay MOSFET je P-kanál, TO-263-3 balení je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 60V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 6.7mohm na napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 375W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Halogenová a olověná (Pb) volná složka

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 175°C.

• balíček nízkou tepelnou odolnost

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace


• přepínače adaptéru

• spínače zátěže

• notebooky

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.