řada: SQM Jednoduché tranzistory MOSFET SQM120P04-04L_NE3 P-kanál-kanálový -120 A -40 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 829-358
- Výrobní číslo:
- SQM120P04-04L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
48,66 Kč
(bez DPH)
58,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 48,66 Kč |
| 10 - 24 | 47,42 Kč |
| 25 - 99 | 46,19 Kč |
| 100 + | 43,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 829-358
- Výrobní číslo:
- SQM120P04-04L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SQM | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.004Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 220nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Délka | 9.65mm | |
| Šířka | 10.41mm | |
| Výška | 4.82mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SQM | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.004Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 220nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Délka 9.65mm | ||
Šířka 10.41mm | ||
Výška 4.82mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- GB
Vysoce výkonný automobilový kanál MOSFET Vishay je navržen pro provoz v náročných podmínkách a zároveň zajišťuje spolehlivý výkon v různých aplikacích. Jeho robustní konstrukce zajišťuje odolnost a účinnost elektrických obvodů.
Bez obsahu halogenů podle normy IEC 61249-2-21
Nízký odpor v zapnutém stavu při napětí brány-zdroje -10 V
Kvalifikace AEC-Q101 pro automobilové aplikace
Zvýšený tepelný výkon s nízkým tepelným odporem
Související odkazy
- řada: SQM Jednoduché tranzistory MOSFET SQM100P10-19L_NE3 P-kanál-kanálový -93 A -100 V Vishay počet kolíků: 3
- řada: SI Jednoduché tranzistory MOSFET SQM120P06-07L_NE3 P-kanál-kanálový -120 A -60 V Vishay počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- řada: CoolMOS 8 Jednoduché tranzistory MOSFET IPT60R055CM8XTMA1 N-kanálový 60 A 600 V Infineon počet kolíků:
- AEC-Q101 TO-263-7,
- řada: SCT4018KWA Jednoduché tranzistory MOSFET SCT4018KWATL N-kanálový 75 A 1200 V ROHM počet kolíků: 8
- AEC-Q101 TO-263, počet
- řada: CoolMOS 8 Jednoduché tranzistory MOSFET IPDQ60R070CM8XTMA1 N-kanálový 60 A 600 V Infineon počet kolíků: