řada: SI Jednoduché tranzistory MOSFET SQM120P06-07L_NE3 P-kanál-kanálový -120 A -60 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 829-359
- Výrobní číslo:
- SQM120P06-07L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
93,61 Kč
(bez DPH)
113,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 93,61 Kč |
| 10 - 99 | 61,26 Kč |
| 100 - 499 | 45,94 Kč |
| 500 - 799 | 39,52 Kč |
| 800 + | 38,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 829-359
- Výrobní číslo:
- SQM120P06-07L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SI | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0067Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Výška | 4.57mm | |
| Délka | 10.16mm | |
| Šířka | 10.28mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SI | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0067Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Výška 4.57mm | ||
Délka 10.16mm | ||
Šířka 10.28mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- GB
Automobilový P-kanálový výkonový tranzistor MOSFET Vishay je navržen pro vysoce výkonné aplikace a poskytuje robustní řešení pro efektivní správu napájení v automobilovém prostředí.
Technologie TrenchFET zvyšuje účinnost a snižuje ztráty výkonu
Certifikace AEC-Q101 pro spolehlivost v automobilových aplikacích
Pouzdro s nízkým tepelným odporem zajišťuje optimální rozptyl tepla
Vynikající odpor v zapnutém stavu při proměnlivém napětí hradla zlepšuje výkon
Související odkazy
- řada: SQM Jednoduché tranzistory MOSFET SQM120P04-04L_NE3 P-kanál-kanálový -120 A -40 V Vishay počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- řada: SQM Jednoduché tranzistory MOSFET SQM100P10-19L_NE3 P-kanál-kanálový -93 A -100 V Vishay počet kolíků: 3
- AEC-Q TO-263, počet kolíků:
- AEC-Q TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Výkonový MOSFET IRF9Z24SPBF Typ P-kanálový 11 A 60 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9520SPBF Typ P-kanálový 6.8 A 100 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- řada: SQJ Jednoduché tranzistory MOSFET SQJ457EP-T1_NE3 P-kanál-kanálový -36 A -60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový