řada: SQM Jednoduché tranzistory MOSFET SQM100P10-19L_NE3 P-kanál-kanálový -93 A -100 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 829-357
- Výrobní číslo:
- SQM100P10-19L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 12,30 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
51,62 Kč
(bez DPH)
62,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 798 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 51,62 Kč | - |
| 10 - 24 | 50,39 Kč | 12,30 Kč |
| 25 - 99 | 49,15 Kč | 61,75 Kč |
| 100 + | 45,94 Kč | 568,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 829-357
- Výrobní číslo:
- SQM100P10-19L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -93A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -100V | |
| Řada | SQM | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0190Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 124nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.16mm | |
| Šířka | 10.28mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Výška | 4.57mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -93A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -100V | ||
Řada SQM | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0190Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 124nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.16mm | ||
Šířka 10.28mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Výška 4.57mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- GB
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay je navržen pro automobilové aplikace a nabízí efektivní výkon a vysokou spolehlivost. Jeho pokročilá technologie TrenchFET zajišťuje optimální řízení teploty a efektivní spínací schopnosti.
Technologie TrenchFET zvyšuje účinnost a tepelný výkon
Jmenovité napětí drain-zdroj -100 V, což zajišťuje robustní provoz
Pouzdro navržené pro nízký tepelný odpor pro lepší rozptyl tepla
Testy ukazují 100% ověření R a UIS pro vysokou spolehlivost
Související odkazy
- řada: SQM Jednoduché tranzistory MOSFET SQM120P04-04L_NE3 P-kanál-kanálový -120 A -40 V Vishay počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- řada: SI Jednoduché tranzistory MOSFET SQM120P06-07L_NE3 P-kanál-kanálový -120 A -60 V Vishay počet kolíků: 3
- řada: CoolMOS 8 Jednoduché tranzistory MOSFET IPT60R055CM8XTMA1 N-kanálový 60 A 600 V Infineon počet kolíků:
- řada: CoolMOS 8 Jednoduché tranzistory MOSFET IPDQ60R070CM8XTMA1 N-kanálový 60 A 600 V Infineon počet kolíků:
- AEC-Q101 TO-263-7,
- AEC-Q101 TO-263, počet
- AEC-Q101 TO-263-7,