řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-7488
- Výrobní číslo:
- BSC030P03NS3GAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*
89 365,00 Kč
(bez DPH)
108 130,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 5000 + | 17,873 Kč | 89 365,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-7488
- Výrobní číslo:
- BSC030P03NS3GAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | OptiMOS P | |
| Typ balení | TDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada OptiMOS P | ||
Typ balení TDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 140nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon OptiMOS řady P, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – BSC030P03NS3GAUMA1
Tento MOSFET je napájecí spínací tranzistor navržený pro aplikace pro povrchovou montáž vyžadující vysoký proud a tepelný rozsah. Funguje jako vylepšovací zařízení s P-kanálem pro řízení napájecích lišt a spínacích stupňů v náročných prostředích a nabízí rovnováhu spínací kapacity a trvalé kapacity proudu v širokém rozsahu teplot.
Charakteristiky a výhody:
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A umožňuje přepínání při vysokém zatížení
• Maximální ztrátový výkon 125 W podporuje vysoké tepelné zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 4.6 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Maximální hodnota Vds 30 V umožňuje ovládání napájecí lišty středního napětí
• Typický náboj hradla 140 nC vyváží sílu pohonu a rychlost spínání
• Tolerance hradla 25 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
• Maximální ztrátový výkon 125 W podporuje vysoké tepelné zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 4.6 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Maximální hodnota Vds 30 V umožňuje ovládání napájecí lišty středního napětí
• Typický náboj hradla 140 nC vyváží sílu pohonu a rychlost spínání
• Tolerance hradla 25 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
Aplikace
• Vhodné pro vysokoproudé moduly rozvodu napájení
• Ideální pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Používá se se systémy řízení baterie a převodu výkonu
• Lze použít pro spínání motorového pohonu na nízké straně
• Používá se pro tepelně namáhanou elektroniku při širokém rozsahu teplot
• Ideální pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Používá se se systémy řízení baterie a převodu výkonu
• Lze použít pro spínání motorového pohonu na nízké straně
• Používá se pro tepelně namáhanou elektroniku při širokém rozsahu teplot
Jaký typ pouzdra mám plánovat na PCB?
Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON pro povrchovou montáž, který vyžaduje půdorys odpovídající 8kolíkové tepelné podložce a okolní zemnění pro pájení a přenos tepla.
Jak okolní teplota ovlivňuje přípustný provoz?
Určený pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, zachovává funkčnost i v extrémně chladných a zvýšených podmínkách spojení, i když tepelné řízení určí dynamické proudové limity.
Jaké úvahy o pohonu hradla jsou důležité pro výkon spínání?
Očekávat typický celkový náboj hradla 140 nC, který informuje o velikosti budiče
ovladače musí poskytovat dostatečný proud pro přepínání v rámci požadovaných přechodových časů při dodržení maximálního jmenovitého napětí zdroje hradla 25 V.
Jaká charakteristika přímého napětí ovlivňuje zpětné vedení?
Zařízení vykazuje přímé napětí -1,1 V během vedení v příslušném směru, což ovlivňuje ztráty vedení při volném kole nebo synchronních konfiguracích.
Související odkazy
- řada: OptiMOS P MOSFET BSC030P03NS3GAUMA1 Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET BSC060P03NS3EGATMA1 Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 147 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení