řada: OptiMOS P MOSFET BSC060P03NS3EGATMA1 Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 825-9266
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-409
- Výrobní číslo:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
206,25 Kč
(bez DPH)
249,56 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 090 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 20,625 Kč | 206,25 Kč |
| 100 - 190 | 14,771 Kč | 147,71 Kč |
| 200 + | 14,548 Kč | 145,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 825-9266
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-409
- Výrobní číslo:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | OptiMOS P | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.35mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada OptiMOS P | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 61nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.35mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon OptiMOS řady P, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – BSC060P03NS3EGATMA1
Tento MOSFET je napájecí spínací tranzistor navržený pro aplikace s vysokým proudem a nízkým napětím v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročné prostředí a zajišťuje značnou schopnost trvalého proudu při zachování kompaktního balení pro nízkoprofilové desky.
Charakteristiky a výhody:
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A umožňuje trvalé vysokoproudé spínání
• Jmenovité napětí 30 V podporuje nízkonapěťové napájecí stupně
• Rds(on) 9.6 mΩ snižuje ztráty při vedení a tvorbu tepla
• Maximální ztrátový výkon 83 W umožňuje výraznou manipulaci s výkonem
• Typické náboje hradla 61 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Limit hradla-zdroje 25 V zajišťuje prostor pro pohon hradla pro větší robustnost
• Jmenovité napětí 30 V podporuje nízkonapěťové napájecí stupně
• Rds(on) 9.6 mΩ snižuje ztráty při vedení a tvorbu tepla
• Maximální ztrátový výkon 83 W umožňuje výraznou manipulaci s výkonem
• Typické náboje hradla 61 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Limit hradla-zdroje 25 V zajišťuje prostor pro pohon hradla pro větší robustnost
Aplikace
• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro pohony stejnosměrných motorů vyžadující vysoký proud
• Používá se pro regulátory bodu zatížení v serverovém a telekomunikačním zařízení
• Lze použít pro systémy řízení baterií při ukládání energie
• Vhodné pro spínače vysokého proudu na kompaktních PCB
• Ideální pro pohony stejnosměrných motorů vyžadující vysoký proud
• Používá se pro regulátory bodu zatížení v serverovém a telekomunikačním zařízení
• Lze použít pro systémy řízení baterií při ukládání energie
• Vhodné pro spínače vysokého proudu na kompaktních PCB
Jaký tepelný rozsah může tolerovat během provozu?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s výraznými kolísání teploty.
Jaké pouzdro a typ montáže používá pro montáž PCB?
Zařízení je dodáváno v 8kolíkovém pouzdru TDSON určeném pro montáž na povrch a nízkoprofilové sestavy.
Je typ kanálu a provozní režim vhodný pro běžné napájecí topologie?
Používá kanál typu P v režimu zesílení, který je vhodný pro návrhy vyžadující zařízení s P-kanálem s řízenými vlastnostmi vedení.
Jak kompaktní je součást pro úzké uspořádání desky?
Výška pouzdra je 1,1 mm a půdorys podporuje kompaktní umístění při zachování vysoké proudové kapacity.
Související odkazy
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET BSC030P03NS3GAUMA1 Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 147 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 13 A 34 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení