řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 170-2297
Výrobní číslo:: BSC014N04LSATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

65 655,00 Kč

(bez DPH)

79 445,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	13,131 Kč	65 655,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 170-2297
Výrobní číslo:: BSC014N04LSATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	100A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.4mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	61nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	96W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	5.15mm
	Normy/schválení	J-STD20 and JESD22
	Výška	1.1mm
	Šířka	6.15mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 61nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 96W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 5.15mm
	Normy/schválení J-STD20 and JESD22
	Výška 1.1mm
	Šířka 6.15mm
	Automobilový standard Ne

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – BSC014N04LSATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudý N-kanálový spínací tranzistor navržený pro napájecí aplikace pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu, podporuje značné nepřetržité vypouštěcí proudy a je určen pro kompaktní převod výkonu a vysoce účinné spínací úkoly v průmyslových elektronických systémech.

Charakteristiky a výhody:

• Nízká hodnota Rds(on) 1.4 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A umožňuje manipulaci s vysokým proudem
• Jmenovité napětí 40 V umožňuje výkonové stupně středního napětí
• Typické náboje hradla 61 nC podporuje rychlé spínání
• Maximální ztrátový výkon 96 W umožňuje výraznou tepelnou zátěž
• Maximální napětí hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní pohon hradla

Aplikace

• Vhodné pro primární a sekundární stupně měničů DC/DC
• Ideální pro vysokoproudé napájecí kolejnice v průmyslových zařízeních
• Používá se se synchronními snižovacími měniči pro efektivní spínání
• Lze použít pro poloviční můstkové moduly budiče motoru
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž

Jaké pouzdro a montážní metoda používá?

Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON a je určen pro povrchovou montáž na desku.

Jak zvládá rozšířené teplotní rozsahy?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.

Jaká omezení hradlového pohonu by měli konstruktéři dodržovat?

Zařízení umožňuje maximální napětí hradla-zdroje 20 V, takže ovladače hradla musí zůstat v rámci tohoto limitu.

Jakou elektrickou polaritu a chování kanálu sleduje?

Jedná se o N-kanálové zařízení s režimem vylepšení a pro jeho vedení je vyžadován kladný pohon hradla.