řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 275 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 214-8969
Výrobní číslo:: BSC010N04LSIATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 275 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (5000 jednotky/-ek, v kotouči po 5000 ks)*

112 785,00 Kč

(bez DPH)

136 470,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	22,557 Kč	112 785,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 214-8969
Výrobní číslo:: BSC010N04LSIATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	275A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.05mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	87nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	139W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	0.7V
	Maximální provozní teplota	+175°C
	Šířka	6.1mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.2mm
	Délka	5.35mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 275A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.05mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 87nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 139W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 0.7V
	Maximální provozní teplota +175°C
	Šířka 6.1mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.2mm
	Délka 5.35mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSC010N04LSIATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS, napětí zdroje vypouštění 40 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 275 A – BSC010N04LSIATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudá spínací součást určená pro náročné napájecí aplikace. Pracuje ve velmi širokém rozsahu okolních teplot a je určen pro implementace PCB pro povrchovou montáž v kompaktních sestavách. Zařízení je vybaveno N-kanálem s režimem zesílení a podporuje napětí vedení hradla vhodné pro robustní řízení spínání.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký vodivý odpor zajišťuje efektivní spínání při vysokém proudu
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud umožňuje velké zatížení
• Jmenovité napětí 40 V umožňuje použití v systému se středním napětím
• Ztrátový výkon 139 W podporuje vyšší zvládání výkonu
• Typický náboj hradla 87 nC umožňuje předvídat spínací energii
• Tolerance zdroje hradla 20 V zajišťuje prostor pro ovladač hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé pohony stejnosměrných motorů
• Používá se pro rozvod napájení v bateriových systémech
• Ideální pro synchronní usměrňování v měničích
• Lze použít pro serverové a telekomunikační napájecí stupně
• Používá se s invertorovými moduly vyžadujícími robustní spínače

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Je určen pro nepřetržité použití v rozsahu -55 °C až +175 °C.

Jaké pouzdro a typ montáže používá pro montáž PCB?

Dodává se v pouzdru TDSON určeném pro povrchovou montáž.

Kolik elektrických připojení je k dispozici pro uspořádání a vedení?

Zařízení používá 8kolíkovou konfiguraci pro napájecí a hradlové připojení.

Jaké chování ovladače hradla by měli konstruktéři očekávat při přepínání?

Konstruktéři by měli při výpočtu ztrát pohonu a doby spínání plánovat typický náboj hradla 87 nC.

Jaký fyzický půdorys by měl být při umístění součásti povolen?

Pouzdro měří 5.35 mm na délku, 6.1 mm na šířku a 1.2 mm na výšku.