řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-6578
Výrobní číslo:: BSC060P03NS3EGATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 100 A 30 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

50 310,00 Kč

(bez DPH)

60 875,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 21. září 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	10,062 Kč	50 310,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-6578
Výrobní číslo:: BSC060P03NS3EGATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	100A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	OptiMOS P
	Typ balení	TDSON
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	9.6mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	83W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	61nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	25V
	Přímé napětí Vf	-1.1V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	6.35mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.1mm
	Šířka	5.35mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada OptiMOS P
	Typ balení TDSON
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 9.6mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 83W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 61nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V
	Přímé napětí Vf -1.1V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 6.35mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.1mm
	Šířka 5.35mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS řady P, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – BSC060P03NS3EGATMA1

Tento MOSFET je napájecí spínací tranzistor navržený pro aplikace s vysokým proudem a nízkým napětím v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročné prostředí a zajišťuje značnou schopnost trvalého proudu při zachování kompaktního balení pro nízkoprofilové desky.

Charakteristiky a výhody:

• Nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A umožňuje trvalé vysokoproudé spínání
• Jmenovité napětí 30 V podporuje nízkonapěťové napájecí stupně
• Rds(on) 9.6 mΩ snižuje ztráty při vedení a tvorbu tepla
• Maximální ztrátový výkon 83 W umožňuje výraznou manipulaci s výkonem
• Typické náboje hradla 61 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Limit hradla-zdroje 25 V zajišťuje prostor pro pohon hradla pro větší robustnost

Aplikace

• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro pohony stejnosměrných motorů vyžadující vysoký proud
• Používá se pro regulátory bodu zatížení v serverovém a telekomunikačním zařízení
• Lze použít pro systémy řízení baterií při ukládání energie
• Vhodné pro spínače vysokého proudu na kompaktních PCB

Jaký tepelný rozsah může tolerovat během provozu?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s výraznými kolísání teploty.

Jaké pouzdro a typ montáže používá pro montáž PCB?

Zařízení je dodáváno v 8kolíkovém pouzdru TDSON určeném pro montáž na povrch a nízkoprofilové sestavy.

Je typ kanálu a provozní režim vhodný pro běžné napájecí topologie?

Používá kanál typu P v režimu zesílení, který je vhodný pro návrhy vyžadující zařízení s P-kanálem s řízenými vlastnostmi vedení.

Jak kompaktní je součást pro úzké uspořádání desky?

Výška pouzdra je 1,1 mm a půdorys podporuje kompaktní umístění při zachování vysoké proudové kapacity.