MPN

řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SiZ350DT-T1-GE3 Typ N-kanálový 30 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3, počet kolíků: 8 kolíkový

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay Siliconix
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	PowerPAIR 3 x 3
	Řada	TrenchFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	9mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	12.1nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	16.7W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Konfigurace tranzistoru	Duální
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3mm
	Výška	0.75mm
	Normy/schválení	No
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay Siliconix
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení PowerPAIR 3 x 3
	Řada TrenchFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.1nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 16.7W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Konfigurace tranzistoru Duální
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3mm
	Výška 0.75mm
	Normy/schválení No
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Výjimka

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV

Tranzistory MOSFET High Side a Low Side vytvářejí optimální

kombinaci pro pracovní cyklus 50 %

Optimalizované parametry RDS / Qg a RDS / Qgd (FOM) zajišťují vyšší

účinnost pro vysokofrekvenční spínání

APLIKACE

Synchronní snižující regulátor

Převod DC/DC

Poloviční můstek

POL

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.