řada: TrenchFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 30 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Siliconix

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
178-3703
Výrobní číslo:
SiZ350DT-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

30A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

TrenchFET

Typ balení

PowerPAIR 3 x 3

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

16.7W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.1nC

Minimální provozní teplota

150°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16 V

Maximální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Normy/schválení

No

Šířka

3 mm

Délka

3mm

Výška

0.75mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV

Tranzistory MOSFET High Side a Low Side vytvářejí optimální

kombinaci pro pracovní cyklus 50 %

Optimalizované parametry RDS / Qg a RDS / Qgd (FOM) zajišťují vyšší

účinnost pro vysokofrekvenční spínání

APLIKACE

Synchronní snižující regulátor

Převod DC/DC

Poloviční můstek

POL

Související odkazy