řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SiZ350DT-T1-GE3 N-kanálový 30 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 178-3703
- Výrobní číslo:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
26 715,00 Kč
(bez DPH)
32 325,00 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 8,905 Kč | 26 715,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3703
- Výrobní číslo:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -12V, +16V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 16.7W | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Šířka | 3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3mm | |
| Výška | 750μm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení PowerPAIR 3 x 3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -12V, +16V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 16.7W | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Šířka 3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3mm | ||
Výška 750μm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Tranzistory MOSFET High Side a Low Side vytvářejí optimální
kombinaci pro pracovní cyklus 50 %
Optimalizované parametry RDS / Qg a RDS / Qgd (FOM) zajišťují vyšší
účinnost pro vysokofrekvenční spínání
APLIKACE
Synchronní snižující regulátor
Převod DC/DC
Poloviční můstek
POL
Související odkazy
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SiZ350DT-T1-GE3 N-kanálový 30 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SiZ348DT-T1-GE3 N-kanálový 30 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZ340BDT-T1-GE3 N-kanálový 69.3 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZF906BDT-T1-GE3 N-kanálový 257 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZF928DT-T1-GE3 N-kanálový 258 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZ254DT-T1-GE3 N-kanálový 32.5 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SIZ256DT-T1-GE3 N-kanálový 31.8 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiZ250DT-T1-GE3 N-kanálový 38 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay