řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 69.3 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3S, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 228-2938
- Výrobní číslo:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
16 005,00 Kč
(bez DPH)
19 365,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,335 Kč | 16 005,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2938
- Výrobní číslo:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 69.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00856Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 31W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 69.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení PowerPAIR 3 x 3S | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00856Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 31W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Duální N-kanál Vishay 30 v (D-s) MOSFET.
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SiZ340BDT-T1-GE3 Typ N-kanálový 69.3 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 32.5 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 31.8 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- řada: TrenchFET MOSFET SiZ254DT-T1-GE3 Typ N-kanálový 32.5 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SIZ256DT-T1-GE3 Typ N-kanálový 31.8 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiZ240DT-T1-GE3 Typ N-kanálový 48 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiZ270DT MOSFET Typ N-kanálový 19.1 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 48 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2