řada: IRFB11N50A Výkonový MOSFET IRFB11N50APBF N-kanálový 11 A 500 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 178-0823
Výrobní číslo:: IRFB11N50APBF
Výrobce:: Vishay

řada: IRFB11N50A Výkonový MOSFET IRFB11N50APBF N-kanálový 11 A 500 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 896,95 Kč

(bez DPH)

2 295,30 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	37,939 Kč	1 896,95 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-0823
Výrobní číslo:: IRFB11N50APBF
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	11A
	Maximální napětí na zdroji Vds	500V
	Typ balení	JEDEC TO-220AB
	Řada	IRFB11N50A
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	520mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	52nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-30, +30V
	Maximální ztrátový výkon Pd	170W
	Přímé napětí Vf	1.5V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	4.7mm
	Normy/schválení	RoHS
	Výška	9.01mm
	Délka	10.41mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A
	Maximální napětí na zdroji Vds 500V
	Typ balení JEDEC TO-220AB
	Řada IRFB11N50A
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 520mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -30, +30V
	Maximální ztrátový výkon Pd 170W
	Přímé napětí Vf 1.5V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 4.7mm
	Normy/schválení RoHS
	Výška 9.01mm
	Délka 10.41mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Pro stažení CAD modelů je nutné se přihlásit

Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay IRFB11N50A, zdrojové napětí vypouštění 500 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 11 A – IRFB11N50APBF

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení s N-kanálem určené pro montáž na desku s průchozím otvorem v průmyslových a výkonových kontextech elektroniky. Pracuje v širokém teplotním rozsahu, podporuje značné spínací proudy a napětí a je dodáván v pouzdru TO-220AB pro snadné chladení a upevnění k šasi.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 500 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 11 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Maximální ztrátovost 170 W umožňuje výrazné přepínání výkonu
• Rds(on) 520 mΩ zajišťuje předvídatelné ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 52 nC umožňuje řízený design pohonu hradla
• Limit hradla 30 V chrání před nadměrným napětím pohonu

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s diskrétními sestavami MOSFET v napájecích měničích
• Lze použít pro spínané regulátory výkonu a regulátory
• Vhodné pro laboratorní testování napájení a prototypy

Jaký tepelný rozsah lze očekávat v terénních a skladovacích podmínkách?

Pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných okolních prostředích.

Jak je zařízení namontováno a chlazeno v systému?

Formát průchozího otvoru TO-220AB umožňuje šroubování k externímu chladiču nebo šasi pro lepší přenos tepla.

Jaké úvahy o pohonu hradla jsou důležité pro prevenci poškození?

Udržujte napětí hradla v rámci limitu 30 V a navrhujte ovladač tak, aby nabíjel přibližně 52 nC pro spolehlivé přepínání.

Jak přímé napětí ovlivňuje vodivost v obvodech?

Proudové napětí 1,5 V ovlivní celkové ztráty systému během vedení a mělo by být zahrnuto do výpočtu teploty a účinnosti.