řada: IRF820 Výkonový MOSFET IRF820PBF Typ N-kanálový 2.5 A 500 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-0851
- Výrobní číslo:
- IRF820PBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
979,60 Kč
(bez DPH)
1 185,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 19,592 Kč | 979,60 Kč |
| 100 - 200 | 16,633 Kč | 831,65 Kč |
| 250 + | 14,697 Kč | 734,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-0851
- Výrobní číslo:
- IRF820PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | IRF820 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 50W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.41mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Výška | 9.01mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada IRF820 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 50W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.41mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 4.7mm | ||
Výška 9.01mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady IRF820, napětí zdroje vypouštění 500 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 2,5 A – IRF820PBF
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínací a zesilovací úkoly v průmyslové elektronice. Je vhodný pro aplikace vyžadující vysoké napětí odtoku-zdroje a mírný nepřetržitý proud, pracuje v širokém teplotním rozsahu a je namontován ve standardním pouzdru s průchozím otvorem pro snadnou montáž desky.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 500 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý proud 2,5 A podporuje zvládání mírné zátěže
• Rozptýlení výkonu 50 W umožňuje trvalý tepelný výkon
• Odpor při zapnutí 3 Ω snižuje ztráty související s vedením
• typické náboje hradla 24 nC zajišťuje předvídatelné požadavky na pohon
• Tolerance Vgs ±20 V chrání hradlo před přepětím
• nepřetržitý proud 2,5 A podporuje zvládání mírné zátěže
• Rozptýlení výkonu 50 W umožňuje trvalý tepelný výkon
• Odpor při zapnutí 3 Ω snižuje ztráty související s vedením
• typické náboje hradla 24 nC zajišťuje předvídatelné požadavky na pohon
• Tolerance Vgs ±20 V chrání hradlo před přepětím
Aplikace
• Vhodné pro spínání na primární straně SMPS v průmyslových zdrojích
• Ideální pro lineární zesilovací stupně vyžadující vysokonapěťové tranzistory
• Používá se pro obvody rozhraní motorového pohonu s mírnými proudy
• Lze použít pro vysokonapěťové zkušební plošiny a laboratorní napájecí zdroje
• Vhodné pro dodatečnou montáž průchozích otvorů v ovládacích panelech
• Ideální pro lineární zesilovací stupně vyžadující vysokonapěťové tranzistory
• Používá se pro obvody rozhraní motorového pohonu s mírnými proudy
• Lze použít pro vysokonapěťové zkušební plošiny a laboratorní napájecí zdroje
• Vhodné pro dodatečnou montáž průchozích otvorů v ovládacích panelech
Jaký montážní přístup vyžaduje toto zařízení?
Dodává se pro montáž do průchozího otvoru v pouzdru TO-220AB, což umožňuje konvenční pájení a možnosti chlazení.
Jaký tepelný rozsah může tolerovat během provozu?
Může pracovat v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných podmínkách a scénářích se zvýšeným spojem.
Jak ovlivňuje pohon hradla chování spínání?
Typický náboj hradla 24 nC při jmenovitém napětí hradla určuje požadovaný proud budiče a kompromisy spínací rychlosti.
Co je třeba vzít v úvahu pro řízení rozptýlení výkonu?
Díky maximálnímu rozptylu 50 W je nutné použít externí chladič a orientaci montáže pro udržení bezpečných teplot spojení při vyšších zatíženích.
Existují specifické elektrické limity, které je třeba dodržovat u brány?
Napětí hradla-zdroje nesmí překročit ±20 V, aby se zabránilo poškození oxidu hradla a ohrožení integrity zařízení.
Související odkazy
- řada: IRF MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRF MOSFET IRF820APBF Typ N-kanálový 2.5 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFI MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFI MOSFET Typ N-kanálový 9.8 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFI MOSFET Typ P-kanálový 6 A 60 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRF MOSFET Typ N-kanálový 2 A 400 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRF MOSFET Typ N-kanálový 14 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRF MOSFET Typ N-kanálový 5.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení