řada: IRFB11N50A Výkonový MOSFET IRFB11N50APBF N-kanálový 11 A 500 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 541-1944
- Výrobní číslo:
- IRFB11N50APBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
69,16 Kč
(bez DPH)
83,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 95 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 219 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 69,16 Kč |
| 10 - 49 | 66,69 Kč |
| 50 - 99 | 64,22 Kč |
| 100 - 249 | 60,76 Kč |
| 250 + | 57,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-1944
- Výrobní číslo:
- IRFB11N50APBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | IRFB11N50A | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 520mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30, +30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.41mm | |
| Výška | 9.01mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada IRFB11N50A | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 520mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30, +30V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.7mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.41mm | ||
Výška 9.01mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay IRFB11N50A, zdrojové napětí vypouštění 500 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 11 A – IRFB11N50APBF
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení s N-kanálem určené pro montáž na desku s průchozím otvorem v průmyslových a výkonových kontextech elektroniky. Pracuje v širokém teplotním rozsahu, podporuje značné spínací proudy a napětí a je dodáván v pouzdru TO-220AB pro snadné chladení a upevnění k šasi.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 500 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 11 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Maximální ztrátovost 170 W umožňuje výrazné přepínání výkonu
• Rds(on) 520 mΩ zajišťuje předvídatelné ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 52 nC umožňuje řízený design pohonu hradla
• Limit hradla 30 V chrání před nadměrným napětím pohonu
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 11 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Maximální ztrátovost 170 W umožňuje výrazné přepínání výkonu
• Rds(on) 520 mΩ zajišťuje předvídatelné ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 52 nC umožňuje řízený design pohonu hradla
• Limit hradla 30 V chrání před nadměrným napětím pohonu
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s diskrétními sestavami MOSFET v napájecích měničích
• Lze použít pro spínané regulátory výkonu a regulátory
• Vhodné pro laboratorní testování napájení a prototypy
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s diskrétními sestavami MOSFET v napájecích měničích
• Lze použít pro spínané regulátory výkonu a regulátory
• Vhodné pro laboratorní testování napájení a prototypy
Jaký tepelný rozsah lze očekávat v terénních a skladovacích podmínkách?
Pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných okolních prostředích.
Jak je zařízení namontováno a chlazeno v systému?
Formát průchozího otvoru TO-220AB umožňuje šroubování k externímu chladiču nebo šasi pro lepší přenos tepla.
Jaké úvahy o pohonu hradla jsou důležité pro prevenci poškození?
Udržujte napětí hradla v rámci limitu 30 V a navrhujte ovladač tak, aby nabíjel přibližně 52 nC pro spolehlivé přepínání.
Jak přímé napětí ovlivňuje vodivost v obvodech?
Proudové napětí 1,5 V ovlivní celkové ztráty systému během vedení a mělo by být zahrnuto do výpočtu teploty a účinnosti.
Související odkazy
- řada: IRFB11N50A Výkonový MOSFET IRFB11N50APBF N-kanálový 11 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- Výkonový MOSFET IRFB17N50LPBF N-kanálový 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9Z24PBF Typ P-kanálový 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRF840HPBF N-kanálový 8 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFZ44PBF N-kanálový 50 A 60 V Vishay, JEDEC TO-220AB
- MOSFET IRFB13N50APBF N-kanálový 14 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET SIHP25N40D-GE3 N-kanálový 25 A 400 V, JEDEC TO-220AB Vishay
- řada: IRF820 Výkonový MOSFET IRF820PBF N-kanálový 2.5 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení