Výkonový MOSFET IRFB17N50LPBF Typ N-kanálový 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

308,26 Kč

(bez DPH)

373,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • 10 zbývá, připraveno k odeslání
  • Konečné odeslání 536 jednotky (jednotek) od 11. března 2026
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18154,13 Kč308,26 Kč
20 - 48138,445 Kč276,89 Kč
50 - 98126,59 Kč253,18 Kč
100 - 198115,475 Kč230,95 Kč
200 +108,065 Kč216,13 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
180-8623
Výrobní číslo:
IRFB17N50LPBF
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

16A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

0.32Ω

Typický náboj brány Qg @ Vgs

130nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

220W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS 2002/95/EC

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Vishay IRFB17N50L je N-kanálový výkonový MOSFET s odvodem na zdroj (VdS) napětí 500V.brána na zdroj napětí (VGS) je 30V. Musí TO být balíček TO-220AB. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,28 ohmů při 10 VGS. Maximální vypouštěcí proud 16 A.

Nízké nabití hradla QG vede k jednoduchému požadavku pohonu

Vylepšená brána, lavina a dynamická odolnost DV/dt

Plně charakterizovaná kapacita a lavinové napětí a proud

Nízká trr a měkká regenerace diod

Související odkazy