Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8312
- Výrobní číslo:
- IRFB17N50LPBF
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 180-8312
- Výrobní číslo:
- IRFB17N50LPBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 16A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Typ montáže | Šroubová svorka | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.32Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 220W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 130nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS 2002/95/EC | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 16A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Typ montáže Šroubová svorka | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.32Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 220W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 130nC | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS 2002/95/EC | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay IRFB17N50L je N-kanálový výkonový MOSFET s odvodem na zdroj (VdS) napětí 500V.brána na zdroj napětí (VGS) je 30V. Musí TO být balíček TO-220AB. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,28 ohmů při 10 VGS. Maximální vypouštěcí proud 16 A.
Nízké nabití hradla QG vede k jednoduchému požadavku pohonu
Vylepšená brána, lavina a dynamická odolnost DV/dt
Plně charakterizovaná kapacita a lavinové napětí a proud
Nízká trr a měkká regenerace diod
Související odkazy
- Výkonový MOSFET IRFB17N50LPBF Typ N-kanálový 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB Vishay Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRL620PBF Typ N-kanálový 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB Vishay Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9Z24PBF Typ P-kanálový 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRFZ44RPBF Typ N-kanálový 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý