řada: IPT015N10N5 MOSFET IPT015N10N5ATMA1 Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 171-1991
Výrobní číslo:: IPT015N10N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: IPT015N10N5 MOSFET IPT015N10N5ATMA1 Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

517,22 Kč

(bez DPH)

625,835 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

165 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 +	103,444 Kč	517,22 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 171-1991
Výrobní číslo:: IPT015N10N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	300A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	IPT015N10N5
	Typ balení	HSOF
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	9
	Maximální odpor zdroje Rds	2mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	375W
	Přímé napětí Vf	0.9V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	169nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Délka	10.1mm
	Výška	2.4mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada IPT015N10N5
	Typ balení HSOF
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 9
	Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 375W
	Přímé napětí Vf 0.9V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 169nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Délka 10.1mm
	Výška 2.4mm
	Automobilový standard Ne

MOSFET Infineon

Infineon HSOF-8 povrchový mount N-channel MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdrojovým odporem 1,5mohm na hradle-zdroji napětí 10V. MOSFET má nepřetržitý proud proudu 300A. Má maximální napětí zdroje hradla 20V a napětí zdroje vypouštění 100V. Má maximální ztrátový výkon 375W. MOSFET má minimální a maximální napájecí napětí 6V resp. 10V. Byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• 100% prověřená lavina

• vynikající brána nabíjení x RDS (na) produkt (FOM)

• Bez halogenů

• nejvyšší účinnost systému

• ideální pro vysokou spínací frekvenci

• zvýšená hustota výkonu

• olovo (Pb) bez pokovování

• přepětí při nízkém napětí

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 175°C.

• optimalizováno pro synchronní rektifikaci

• snížení kapacity výstupu až o 44%

• RDS (ON) snížení až o 44%

• velmi nízká na odpor RDS (ON)

Aplikace

• adaptér

• lehká elektrická vozidla

• nízkonapěťové pohony

• Server napájecí zdroje

• solární

• telekomunikace

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC