řada: OptiMOS 5 MOSFET IAUT300N10S5N015ATMA1 Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4347
- Výrobní číslo:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
278,62 Kč
(bez DPH)
337,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 22 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 139,31 Kč | 278,62 Kč |
| 10 - 18 | 123,995 Kč | 247,99 Kč |
| 20 - 48 | 115,595 Kč | 231,19 Kč |
| 50 - 98 | 107,32 Kč | 214,64 Kč |
| 100 + | 100,28 Kč | 200,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4347
- Výrobní číslo:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HSOF | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 166nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HSOF | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 166nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento MOSFET Infineon OptMOS nabízí nejmodernější R DS(ON) příkopu MOSFET spolu s širokou bezpečnou provozní plochou klasického rovinné MOSFET.
Je ideální pro použití s výměnou za provozu a s elektronickou pojistkou
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 300 A 30 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPT004N03LATMA1 Typ N-kanálový 300 A 30 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 300 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IPT007N06NATMA1 Typ N-kanálový 300 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPT020N10N3ATMA1 Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 96 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení