řada: OptiMOS 3 MOSFET IPT020N10N3ATMA1 Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

328,51 Kč

(bez DPH)

397,498 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 602 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 +164,255 Kč328,51 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
906-4356
Výrobní číslo:
IPT020N10N3ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

300A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

OptiMOS 3

Typ balení

HSOF

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

3.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

156nC

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

10.58mm

Normy/schválení

No

Výška

2.4mm

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V


Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.