řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 300 A 100 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 214-4346
Výrobní číslo:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 300 A 100 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

115 596,00 Kč

(bez DPH)

139 872,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 12. dubna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	57,798 Kč	115 596,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 214-4346
Výrobní číslo:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	300A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	OptiMOS 5
	Typ balení	HSOF
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	166nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	375W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada OptiMOS 5
	Typ balení HSOF
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 166nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 375W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFET Infineon OptiMOS řady 5, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 300 A – IAUT300N10S5N015ATMA1

Tento tranzistor MOSFET je vysoce výkonné vylepšovací zařízení N-kanálu navržené pro náročné funkce spínání a převodu výkonu. Pracuje v širokém teplotním rozsahu, který je vhodný pro náročné podmínky, a je balen pro povrchovou montáž v průmyslovém standardním rozměru HSOF, což nabízí nízký pokles vpřed pro efektivní vedení v obvodech s vysokým proudem.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita vypouštění 100 V umožňuje spínání při vyšším napětí
• Nízká hodnota Rds(on) 1.5 mΩ snižuje ztráty při vedení při vysokých proudích
• Stálý proud 300 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Rozptýlení výkonu 375 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Nabíjení hradla 166 nC vyváží požadavky na spínací rychlost a pohon
• omezení propustného napětí 1.3 V při poklesu napětí při zátěži

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé výkonové měniče a měniče
• Ideální pro trakční a motorové stupně v výkonové elektronice
• Používá se pro vysoce výkonné měniče DC/DC v průmyslových systémech
• Lze použít pro polovodičové moduly rozvodu napájení
• Vhodné pro rychlé spínání v serverových napájecích zdrojích

Jaká pevnost pohonu hradla je vyžadována pro efektivní spínání?

Očekávejte, že budiče hradla budou schopny dodávat a pohlcovat dostatečný proud pro nabíjení 166 nC v rámci cíleného spínacího intervalu

pomalejší pohon zvyšuje ztráty při spínání.

Jak zařízení zvládne zvýšené teploty spoje?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředí s vysokými teplotami při použití vhodného řízení teploty.

Jaké montážní úvahy jsou důležité pro tepelný výkon?

HSOF pro povrchovou montáž vyžaduje dobře navržené tepelné uzemnění PCB a strategii tepelného chlazení, která odvádí až 375 W výkonu při vysokém zatížení.

Jak konfigurace kanálu ovlivňuje konstrukci obvodu?

Jako vylepšovací zařízení N-kanálu je vhodný pro spínání na nízké straně nebo synchronní usměrňování, kde je referenční hradlo blízko potenciálu zdroje.