řada: SUD50P04-08 MOSFET SUD50P04-08-GE3 Typ P-kanálový 50 A 40 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 169-5793
- Výrobní číslo:
- SUD50P04-08-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 169-5793
- Výrobní číslo:
- SUD50P04-08-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | SUD50P04-08 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 73.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 106nC | |
| Přímé napětí Vf | -0.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.38mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada SUD50P04-08 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 73.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 106nC | ||
Přímé napětí Vf -0.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.38mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SUD50P04-08 MOSFET SUD50P04-08-GE3 Typ P-kanálový 50 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUD50P06-15 MOSFET SUD50P06-15-GE3 Typ P-kanálový 50 A 60 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD690N60E-GE3 N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD2N80AE-GE3 N-kanálový 2.9 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHD5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: D Series MOSFET SIHD3N50D-GE3 N-kanálový 3 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý