MPN

řada: SUD50P04-08 MOSFET SUD50P04-08-GE3 Typ P-kanálový 50 A 40 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 121-9658
Výrobní číslo:: SUD50P04-08-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SUD50P04-08 MOSFET SUD50P04-08-GE3 Typ P-kanálový 50 A 40 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 10%

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

226,75 Kč

(bez DPH)

274,35 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. prosince 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*	Úspora
5 - 45	45,35 Kč	226,75 Kč	-
50 - 120	40,804 Kč	204,02 Kč	10%
125 - 245	33,888 Kč	169,44 Kč	25%
250 - 495	26,33 Kč	131,65 Kč	41%
500 +	20,846 Kč	104,23 Kč	54%

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 121-9658
Výrobní číslo:: SUD50P04-08-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TO-252
	Řada	SUD50P04-08
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	10mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-0.8V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	106nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	73.5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	6.22mm
	Výška	2.38mm
	Délka	6.73mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TO-252
	Řada SUD50P04-08
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -0.8V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 106nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 73.5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 6.22mm
	Výška 2.38mm
	Délka 6.73mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: TW

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.