řada: E MOSFET SiHD5N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

237,61 Kč

(bez DPH)

287,51 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 140 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9023,761 Kč237,61 Kč
100 - 24023,02 Kč230,20 Kč
250 - 49021,884 Kč218,84 Kč
500 - 99020,896 Kč208,96 Kč
1000 +19,711 Kč197,11 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
228-2852
Výrobní číslo:
SiHD5N80AE-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.4A

Maximální napětí na zdroji Vds

850V

Řada

E

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.35Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

11nC

Maximální ztrátový výkon Pd

62.5W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET řady Vishay E redukuje ztráty při spínání a vedení.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacita (co(er))

Související odkazy