řada: E MOSFET SiHD5N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2852
- Výrobní číslo:
- SiHD5N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
229,22 Kč
(bez DPH)
277,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 740 jednotka(y) budou odesílané od 16. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 22,922 Kč | 229,22 Kč |
| 100 - 240 | 22,23 Kč | 222,30 Kč |
| 250 - 490 | 21,094 Kč | 210,94 Kč |
| 500 - 990 | 20,155 Kč | 201,55 Kč |
| 1000 + | 19,019 Kč | 190,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2852
- Výrobní číslo:
- SiHD5N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 850V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.35Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 850V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.35Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 850 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A – SiHD5N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro úkoly spínání a převodu výkonu v průmyslové elektronice. Dodává se v kompaktním pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž a je vhodný pro aplikace, které vyžadují robustní manipulaci s napětím a střední schopnost nepřetržitého proudu v malém rozměru.
Charakteristiky a výhody:
• Tolerance vypouštění 850 V umožňuje integraci vysokonapěťového systému • nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A podporuje přepínání mírné zátěže • Rds(on) 1,35 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži • Typické nabití hradla 11 nC umožňuje efektivní konstrukci pohonu hradla • Rozptýlení výkonu 62,5 W řídí tepelnou zátěž v kompaktních uspořádáních • Maximální teplota spoje 150 °C umožňuje provoz při vysokých teplotách
Aplikace
• Vhodné pro SMPS a měniče v průmyslových řídicích systémech • Ideální pro zpětné a zvyšující topologie v napájecích zdrojích • Používá se pro spínání na straně vedení v ovladačích LED a ovládacích prvcích osvětlení • Lze použít pro vysokonapěťové předběžné regulace v nabíječkách baterií
Jaké limity pohonu hradla by měly být dodržovány pro bezpečný provoz?
Napětí hradla-zdroje nesmí překročit 30 V, aby se zabránilo dielektrickému napětí hradla během spínacích přechodů.
Jak tepelná marže ovlivňuje volbu uspořádání PCB?
Díky jmenovitému rozptylu 62,5 W a vysoké spojovací kapacitě by konstruktéři měli poskytnout dostatečnou měděnou plochu nebo tepelné dráhy pro odvod tepla z pozemního vzoru TO-252.
Je toto zařízení vhodné pro automobilové systémy?
Není specifikován pro použití podle automobilového standardu a neměl by být vybrán tam, kde je povinná kvalifikace pro automobilový průmysl.
Jaké kompromisy při přepínání vyplývají z čísla nabíjení brány?
Nabíjení hradla 11 nC vyváží spínací rychlost a pohonnou energii, což vyžaduje ovladače hradla o velikosti pro požadované časy náběhu/klesání a spínací frekvenci.
Související odkazy
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD6N80AE-GE3 Typ N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD11N80AE-T1-GE3 Typ N-kanálový 8 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 8 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHU6N80AE-GE3 Typ N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG21N80AEF-GE3 Typ N-kanálový 16.3 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG24N80AE-GE3 Typ N-kanálový 21 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení