řada: E Výkonový MOSFET SiHD5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2852
- Výrobní číslo:
- SiHD5N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
229,22 Kč
(bez DPH)
277,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 740 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 22,922 Kč | 229,22 Kč |
| 100 - 240 | 22,23 Kč | 222,30 Kč |
| 250 - 490 | 21,094 Kč | 210,94 Kč |
| 500 - 990 | 20,155 Kč | 201,55 Kč |
| 1000 + | 19,019 Kč | 190,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2852
- Výrobní číslo:
- SiHD5N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 850V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.35Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62.5W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 850V | ||
Řada E | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.35Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 850 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A – SiHD5N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a zesilování v povrchově namontované výkonné elektronice. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro aplikace vyžadující robustní blokovací schopnost a mírnou nepřetržitou manipulaci s proudem při zachycení půdorysu TO-252 pro povrchovou montáž.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí 850 V umožňující vysokonapěťové spínání
• Rds(on) 1.35 Ω podporuje řízené ztráty při vedení
• nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A pro stabilní provoz při zatížení
• Maximální rozptyl teploty 62.5 W při tepelné výkonnosti
• Typické náboje hradla 11 nC pro rychlejší přepínání
• Limit hradla-zdroje 30 V umožňuje standardní rozsah pohonu hradla
• Rds(on) 1.35 Ω podporuje řízené ztráty při vedení
• nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A pro stabilní provoz při zatížení
• Maximální rozptyl teploty 62.5 W při tepelné výkonnosti
• Typické náboje hradla 11 nC pro rychlejší přepínání
• Limit hradla-zdroje 30 V umožňuje standardní rozsah pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro průmyslové přední konce motorových pohonů
• Používá se pro spínané stupně regulace výkonu
• Lze použít pro telekomunikační obvody a obvody rozhraní napájecích vedení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Ideální pro průmyslové přední konce motorových pohonů
• Používá se pro spínané stupně regulace výkonu
• Lze použít pro telekomunikační obvody a obvody rozhraní napájecích vedení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
Jaký rozsah provozních teplot lze očekávat pro spolehlivý provoz?
Zařízení funguje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.
Jak mám u této součásti zvážit konstrukci pohonu hradla?
Konstrukce pro maximální Vgs 30 V a zohledňuje typický náboj hradla 11 nC při velikosti ovladačů tak, aby splňovaly požadavky na spínací rychlost a proud pohonu.
Jaké obaly a montážní úvahy platí pro montáž?
Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro povrchovou montáž, takže pro řízení rozptýlení výkonu je třeba naplánovat vzory uzemnění a tepelné dráhy.
Je vhodný pro konstrukce certifikované pro automobilový průmysl?
Není specifikováno, že splňuje automobilové normy, takže by měl být před použitím vyhodnocen podle jakýchkoli požadavků specifických pro vozidlo.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SiHD5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-T1-GE3 N-kanálový 8 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHU5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHU6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG21N80AEF-GE3 N-kanálový 16.3 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHP17N80AEF-GE3 N-kanálový 15 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHP6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení