řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-T1-GE3 N-kanálový 8 A 850 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 228-2848
Výrobní číslo:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-T1-GE3 N-kanálový 8 A 850 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Skladové číslo RS:: 228-2848
Výrobní číslo:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	8A
	Maximální napětí na zdroji Vds	850V
	Typ balení	TO-252
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	450mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	28nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	78W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A
	Maximální napětí na zdroji Vds 850V
	Typ balení TO-252
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 450mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 78W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

Výkonový MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 850 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 8 A – SIHD11N80AE-T1-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro úkoly spínání napájení v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v rozšířeném okolním rozsahu a je vhodný pro obvody vyžadující vysokou kapacitu vypouštěcího zdroje napětí a skromný nepřetržitý proud. Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-252 a je v souladu s RoHS.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 850 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý vypouštěcí proud 8 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 450 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Maximální ztrátový výkon 78 W zvládne významné tepelné namáhání
• Celkové nabití hradla 28 nC umožňuje rychlejší přechod k hradlu
• Pokles propustné diody 1,2 V minimalizuje ztráty při reverzní vodivosti

Aplikace

• Používá se pro vysokonapěťové spínací měniče a měniče
• Vhodné pro průmyslové napájecí zdroje a pomocné lišty
• Ideální pro poloviční můstky a spínané topologie
• Lze použít pro hradlové stupně pohonu motoru se skromným proudem
• Používá se s diskrétními deskami pro správu napájení v spotřebitelských zařízeních

Pro jaký rozsah napětí budiče hradla mám navrhovat?

Zařízení toleruje napětí až 30 V mezi hradlem a zdrojem

navrhování budičů hradla v rámci tohoto limitu a výběr napětí budiče vhodných pro spínací rychlost a bezpečné rozpětí.

Jak teplota ovlivňuje provoz zařízení?

Pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C určuje tepelný výkon přípustné pracovní cykly a může vyžadovat chladicí chladič nebo tepelné dráhy PCB pro udržení teploty spoje při vysokém rozptylu.

Které úvahy o montáži a uspořádání jsou důležité?

Jelikož se jedná o pouzdro TO-252 pro povrchovou montáž, zajistěte dostatečnou plochu mědi pro šíření tepla a krátké, nízkoindukční dráhy pro odvod a zdroj, abyste zlepšili tepelný a spínací výkon.

Jak typ kanálu ovlivňuje konstrukci obvodu?

Režim vylepšení N-kanálu vyžaduje kladné napětí mezi bránou a zdrojem, takže polarita a hladina brány by měly být odpovídajícím způsobem uvedeny v řídicím obvodu.