řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4978
- Výrobní číslo:
- SIHD11N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 210-4978
- Výrobní číslo:
- SIHD11N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 391mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 78W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.2mm | |
| Šířka | 6.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 9.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada E | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 391mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 78W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.2mm | ||
Šířka 6.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 9.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje drain 800 V, ztrátový výkon 78 W – SIHD11N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínací tranzistor navržený pro převod výkonu pro povrchovou montáž a spínací aplikace. Pracuje ve velmi širokém teplotním rozsahu a je určen pro náročné prostředí, kde je vyžadováno vysoké vypouštěcí napětí zdroje a střední proudová kapacita, přičemž je v souladu s omezeními RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí 800 V umožňuje vysokonapěťové topologie
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 8 A podporuje mírné napájecí obvody
• Rds(on) 391 mΩ snižuje ztráty při vedení při jmenovitém proudu
• Maximální ztrátový výkon 78 W umožňuje zvládat značné teploty
• Typický náboj hradla 28 nC zajišťuje předvídatelnou spínací energii
• Prahová hodnota hradla 30 V pro standardní napětí pohonu hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 8 A podporuje mírné napájecí obvody
• Rds(on) 391 mΩ snižuje ztráty při vedení při jmenovitém proudu
• Maximální ztrátový výkon 78 W umožňuje zvládat značné teploty
• Typický náboj hradla 28 nC zajišťuje předvídatelnou spínací energii
• Prahová hodnota hradla 30 V pro standardní napětí pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Ideální pro stupně polovičního můstku a zvyšujícího měniče
• Používá se s předními konci průmyslových motorových pohonů
• Lze použít pro ovládání offline nabíječky a osvětlení
• Vhodné pro telekomunikační a rozvodné moduly
• Ideální pro stupně polovičního můstku a zvyšujícího měniče
• Používá se s předními konci průmyslových motorových pohonů
• Lze použít pro ovládání offline nabíječky a osvětlení
• Vhodné pro telekomunikační a rozvodné moduly
Jaké pouzdro a typ montáže používá?
Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro montáž na povrch, aby se usnadnilo tepelné spojení s mědí PCB.
Jaký tepelný rozsah může během provozu odolat?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných teplotních podmínkách.
Jak přímé napětí ovlivňuje výpočty ztráty výkonu?
při odhadu ztrát při vedení a spínání v diodovodivých intervalech a synchronních uspořádáních je třeba zahrnout napětí 1,2 V.
Jaká omezení pohonu hradla musí být dodržována?
Maximální napětí zdroje hradla je 30 V, takže budiče hradla a ochrana musí zabránit překročení této hodnoty.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-T1-GE3 N-kanálový 8 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD2N80AE-GE3 N-kanálový 2.9 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD690N60E-GE3 N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHD5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB24N80AE-GE3 N-kanálový 21 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
