řada: E MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

56 418,00 Kč

(bez DPH)

68 265,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 14. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +18,806 Kč56 418,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
210-4978
Výrobní číslo:
SIHD11N80AE-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

8A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-252

Řada

E

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

391mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

28nC

Maximální ztrátový výkon Pd

78W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

6.4 mm

Výška

2.2mm

Délka

9.4mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET řady Vishay E má typ balení DPAK (TO-252) s jednoduchou konfigurací.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacita (CISS)

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)

Lavinová energie jmenovitá (UIS)

Integrovaná ochrana proti elektrostatickému výboji Zenerovy diody

Související odkazy