řada: E MOSFET SIHD690N60E-GE3 Typ N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 200-6828
- Výrobní číslo:
- SIHD690N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
47 217,00 Kč
(bez DPH)
57 132,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 15,739 Kč | 47 217,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 200-6828
- Výrobní číslo:
- SIHD690N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 700mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62.5W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 700mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay SIHD690N60E-GE3 je výkonový MOSFET řady E.
Technologie série E 4. Generace
Nízká hodnota vyznamenání
Nízká efektivní kapacita
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
Jmenovitá lavinová energie (UIS)
Související odkazy
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHP690N60E-GE3 Typ N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD6N80AE-GE3 Typ N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD11N80AE-GE3 Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHD5N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHA690N60E-GE3 Typ N-kanálový 4.3 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHP080N60E-GE3 Typ N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení