řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 360 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*

6 696,17 Kč

(bez DPH)

8 102,37 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 840 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 +669,617 Kč6 696,17 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4577
Výrobní číslo:
IXFN360N10T
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

360A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

SOT-227

Řada

GigaMOS Trench HiperFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

2.6mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

525nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

830W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™


Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.