řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET IXFN360N10T Typ N-kanálový 360 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 125-8041
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-370
- Výrobní číslo:
- IXFN360N10T
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
759,92 Kč
(bez DPH)
919,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 22 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 62 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 759,92 Kč |
| 2 - 4 | 684,93 Kč |
| 5 - 9 | 653,32 Kč |
| 10 - 19 | 630,84 Kč |
| 20 + | 618,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 125-8041
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-370
- Výrobní číslo:
- IXFN360N10T
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 360A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | GigaMOS Trench HiperFET | |
| Typ balení | SOT-227 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 525nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 830W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 38.23mm | |
| Výška | 9.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 360A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada GigaMOS Trench HiperFET | ||
Typ balení SOT-227 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 525nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 830W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 38.23mm | ||
Výška 9.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 360 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET IXFN420N10T Typ N-kanálový 420 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 420 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS TrenchT2 HiperFET MOSFET IXFN360N15T2 Typ N-kanálový 310 A 150 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: GigaMOS TrenchT2 HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 310 A 150 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
