řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET IXFN360N10T Typ N-kanálový 360 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

759,92 Kč

(bez DPH)

919,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 22 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 62 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 1759,92 Kč
2 - 4684,93 Kč
5 - 9653,32 Kč
10 - 19630,84 Kč
20 +618,49 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
125-8041
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-370
Výrobní číslo:
IXFN360N10T
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

360A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

GigaMOS Trench HiperFET

Typ balení

SOT-227

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

2.6mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

525nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

830W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™


Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.