řada: GigaMOS TrenchT2 HiperFET MOSFET IXFN360N15T2 Typ N-kanálový 310 A 150 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 083,10 Kč

(bez DPH)

1 310,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 60 jednotka(y) budou odesílané od 26. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 11 083,10 Kč
2 - 41 061,36 Kč
5 +1 028,76 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
125-8042
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-371
Výrobní číslo:
IXFN360N15T2
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

310A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Řada

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Typ balení

SOT-227

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

4mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

715nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1.07kW

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™


Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.