řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET IXFN420N10T Typ N-kanálový 420 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 233,82 Kč

(bez DPH)

1 492,92 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 300 jednotka(y) budou odesílané od 01. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 11 233,82 Kč
2 - 41 110,44 Kč
5 +1 043,03 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
125-8043
Výrobní číslo:
IXFN420N10T
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

420A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

SOT-227

Řada

GigaMOS Trench HiperFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

2.3mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

1.07kW

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

670nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™


Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.