řada: SiHF640L MOSFET SIHF640L-GE3 N-kanálový 18 A 200 V Vishay, TO-262, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 133,25 Kč

(bez DPH)

1 371,25 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 5022,665 Kč1 133,25 Kč
100 - 20021,306 Kč1 065,30 Kč
250 - 45019,266 Kč963,30 Kč
500 +18,13 Kč906,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
165-6089
Výrobní číslo:
SIHF640L-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

18A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Řada

SiHF640L

Typ balení

TO-262

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

180mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

130W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

70nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

2V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

11.3mm

Normy/schválení

No

Šířka

4.83mm

Délka

10.67mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.