řada: SiHF640L MOSFET SIHF640L-GE3 N-kanálový 18 A 200 V Vishay, TO-262, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6089
- Výrobní číslo:
- SIHF640L-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 165-6089
- Výrobní číslo:
- SIHF640L-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | SiHF640L | |
| Typ balení | TO-262 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 130W | |
| Přímé napětí Vf | 2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 11.3mm | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada SiHF640L | ||
Typ balení TO-262 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 130W | ||
Přímé napětí Vf 2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 11.3mm | ||
Šířka 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SiHF640L MOSFET SIHF640L-GE3 N-kanálový 18 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF630S MOSFET SIHF630STRL-GE3 N-kanálový 9 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM90100E-GE3 N-kanálový 150 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUP90220E MOSFET SUP90220E-GE3 N-kanálový 64 A 200 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF620S MOSFET SIHF620S-GE3 N-kanálový 5.2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM90220E MOSFET SUM90220E-GE3 N-kanálový 64 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM40014M-GE3 N-kanálový 200 A 40 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUP90100E-GE3 N-kanálový 150 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení