řada: SiHF620S MOSFET SIHF620S-GE3 Typ N-kanálový 5.2 A 200 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 815-2629
- Výrobní číslo:
- SIHF620S-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
280,35 Kč
(bez DPH)
339,22 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 28,035 Kč | 280,35 Kč |
| 100 - 240 | 26,38 Kč | 263,80 Kč |
| 250 - 490 | 23,836 Kč | 238,36 Kč |
| 500 - 990 | 22,403 Kč | 224,03 Kč |
| 1000 + | 21,044 Kč | 210,44 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 815-2629
- Výrobní číslo:
- SIHF620S-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SiHF620S | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 800mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 50W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SiHF620S | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 800mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 50W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SiHF620S MOSFET Typ N-kanálový 5.2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF630S MOSFET SIHF630STRL-GE3 Typ N-kanálový 9 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9620S MOSFET SIHF9620S-GE3 Typ P-kanálový 2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9630S MOSFET SIHF9630STRL-GE3 Typ P-kanálový 4 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM40014M-GE3 Typ N-kanálový 200 A 40 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM90100E-GE3 Typ N-kanálový 150 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM90220E MOSFET SUM90220E-GE3 Typ N-kanálový 64 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení