řada: TrenchFET MOSFET SUM90100E-GE3 N-kanálový 150 A 200 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2987
- Výrobní číslo:
- SUM90100E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 9%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
219,83 Kč
(bez DPH)
265,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 552 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 109,915 Kč | 219,83 Kč | - |
| 20 - 48 | 99,045 Kč | 198,09 Kč | 9% |
| 50 - 98 | 93,49 Kč | 186,98 Kč | 14% |
| 100 - 198 | 87,93 Kč | 175,86 Kč | 20% |
| 200 + | 81,51 Kč | 163,02 Kč | 25% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2987
- Výrobní číslo:
- SUM90100E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 800mV | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 72.8nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 800mV | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 72.8nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay N-kanál 200 v (D-s) MOSFET.
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SUM90100E-GE3 N-kanálový 150 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM70030M-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM60061EL-GE3 Typ P-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM40014M-GE3 N-kanálový 200 A 40 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUP90100E-GE3 N-kanálový 150 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUP60061EL-GE3 Typ P-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM60020E MOSFET SUM60020E-GE3 N-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM40012EL MOSFET SUM40012EL-GE3 N-kanálový 150 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení