řada: SiHF630S MOSFET SIHF630STRL-GE3 Typ N-kanálový 9 A 200 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 815-2623
- Výrobní číslo:
- SIHF630STRL-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
300,35 Kč
(bez DPH)
363,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. února 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 30,035 Kč | 300,35 Kč |
| 100 - 240 | 28,207 Kč | 282,07 Kč |
| 250 - 490 | 25,515 Kč | 255,15 Kč |
| 500 - 990 | 24,033 Kč | 240,33 Kč |
| 1000 + | 22,502 Kč | 225,02 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 815-2623
- Výrobní číslo:
- SIHF630STRL-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SiHF630S | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 400mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 74W | |
| Přímé napětí Vf | 2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SiHF630S | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 400mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 74W | ||
Přímé napětí Vf 2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SiHF630S MOSFET Typ N-kanálový 9 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM90220E MOSFET SUM90220E-GE3 Typ N-kanálový 64 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9630S MOSFET SIHF9630STRL-GE3 Typ P-kanálový 4 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9620S MOSFET SIHF9620S-GE3 Typ P-kanálový 2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF620S MOSFET SIHF620S-GE3 Typ N-kanálový 5.2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM40014M-GE3 Typ N-kanálový 200 A 40 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM90100E-GE3 Typ N-kanálový 150 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHB068N60EF MOSFET SIHB068N60EF-GE3 Typ N-kanálový 41 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení