AEC-Q101, řada: OptiMOS P MOSFET BSS223PWH6327XTSA1 Typ P-kanálový 310 mA 20 V Infineon, SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 165-5861
Výrobní číslo:: BSS223PWH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS P MOSFET BSS223PWH6327XTSA1 Typ P-kanálový 310 mA 20 V Infineon, SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

3 033,00 Kč

(bez DPH)

3 669,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 05. dubna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	1,011 Kč	3 033,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5861
Výrobní číslo:: BSS223PWH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	310mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Řada	OptiMOS P
	Typ balení	SC-70
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	2.1Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	250mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	0.5nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	-1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-12V, +12V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	2mm
	Šířka	1.25mm
	Výška	800μm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 310mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Řada OptiMOS P
	Typ balení SC-70
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 2.1Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 250mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.5nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf -1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -12V, +12V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 2mm
	Šířka 1.25mm
	Výška 800μm
	Automobilový standard AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon OptiMOS řady P, maximální trvalý proud 310 mA, maximální ztrátový výkon 250 mW - BSS223PWH6327XTSA1

Tento tranzistor MOSFET slouží jako klíčový prvek v elektronických obvodech, kde funguje jako spínač nebo zesilovač v mnoha aplikacích. Jeho P-kanálová konstrukce a vlastnosti v režimu zesílení umožňují efektivní řízení proudu v elektronických systémech s povrchovou montáží. Součástka je díky své schopnosti pracovat při vysokých teplotách vhodná pro automobilové a průmyslové aplikace, kde je důležitý výkon v extrémních podmínkách.

Vlastnosti a výhody

• Zvyšuje účinnost díky nízkému zapínacímu odporu 1,2Ω

• Podporuje provoz při vysokých teplotách až do 150 °C

• Poskytuje robustní výkon s maximálním jmenovitým napětím 20 V

• Vhodné pro vysokorychlostní spínání s minimálním zpožděním

• Splňuje normy AEC-Q101 pro automobilové aplikace

• Zajišťuje konzistentní provoz s nízkou charakteristikou náboje hradla

Aplikace

• Hnací zatížení v automobilovém průmyslu

• Používá se v systémech řízení baterií pro elektrická vozidla

• Implementováno v obvodech řízení spotřeby pro spotřební elektroniku

• Používá se v zesilovačích pro zvuková a elektronická zařízení

• Použití v různých automatizačních systémech vyžadujících efektivní spínání

Jaký je maximální proud, který součástka zvládne?

Maximální trvalý proud, který zvládne, je 310 mA při 25 °C, což zajišťuje spolehlivý provoz za daných podmínek.

Jak je tato součást optimalizována pro prostředí s vysokými teplotami?

Je navržen tak, aby odolával provozním teplotám až do +150 °C, takže je vhodný pro použití v náročných aplikacích.

Pro jaký typ montáže je tento tranzistor vhodný?

Tato součástka je určena pro povrchovou montáž, což usnadňuje její integraci do kompaktních elektronických systémů.

Splňuje nějaké automobilové normy?

Ano, je kvalifikován podle normy AEC-Q101 a splňuje přísné normy spolehlivosti pro aplikace v automobilovém průmyslu.

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření

Lavinová funkčnost

Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu

Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS

Standardní balení

Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.