řada: OptiMOS P MOSFET IPD042P03L3GATMA1 Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 825-9051
- Výrobní číslo:
- IPD042P03L3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
340,86 Kč
(bez DPH)
412,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
- Plus 1 790 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 34,086 Kč | 340,86 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 825-9051
- Výrobní číslo:
- IPD042P03L3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 70A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | OptiMOS P | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 131nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.97mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 70A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada OptiMOS P | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 131nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.97mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon OptiMOS řady P, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 70 A – IPD042P03L3GATMA1
Tento MOSFET je výkonový tranzistor s P-kanálem a režimem zesílení, který je navržen pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadován vysoký proud a robustní tepelný provozní rozsah. Funguje jako vysoce výkonné spínací zařízení v obvodech pro převod výkonu a řízení zátěže, což zajišťuje nízkou ztrátu vedení a řízené chování hradla pro náročné elektronické systémy.
Charakteristiky a výhody:
• RDS(on) 6,8 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro lepší účinnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 70 A podporuje přepínání vysoké zátěže
• Rozptýlení výkonu 150 W umožňuje udržitelnou tepelnou manipulaci
• Typický náboj hradla 131 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Provozní rozsah -55 °C až 175 °C umožňuje použití při vysokých teplotách
• Jmenovité napětí VGS ±20 V zajišťuje flexibilitu napětí pohonu hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 70 A podporuje přepínání vysoké zátěže
• Rozptýlení výkonu 150 W umožňuje udržitelnou tepelnou manipulaci
• Typický náboj hradla 131 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Provozní rozsah -55 °C až 175 °C umožňuje použití při vysokých teplotách
• Jmenovité napětí VGS ±20 V zajišťuje flexibilitu napětí pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro synchronní usměrnění v měničích DC-DC
• Ideální pro spínání vysokoproudých zátěží v napájecích zdrojích
• Používá se s pohony motorů vyžadujícími nízký vodivý odpor
• Lze použít pro správu baterií a ochranné obvody
• Vhodné pro napájecí moduly s vysokou hustotou pro povrchovou montáž
• Ideální pro spínání vysokoproudých zátěží v napájecích zdrojích
• Používá se s pohony motorů vyžadujícími nízký vodivý odpor
• Lze použít pro správu baterií a ochranné obvody
• Vhodné pro napájecí moduly s vysokou hustotou pro povrchovou montáž
Jaký typ pouzdra bych měl předvídat z hlediska uspořádání desek plošných spojů?
Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž se třemi kolíky, což umožňuje kompaktní umístění desky a směrování pomocí tepelné podložky.
Jak zařízení zvládá napětí pohonu hradla během provozu?
Maximální napětí zdroje hradla je ±20 V, takže ovladače hradla by měly být specifikovány v rámci tohoto limitu, aby se zabránilo přetížení.
Jaké je maximální napětí, které může tento tranzistor blokovat?
Má jmenovité maximální napětí odtoku-zdroje 30 V, což určuje jeho vhodnost pro nízkonapěťové napájecí systémy.
Existují nějaká omezení přímého napětí během vedení?
Typické propustné napětí je -1,1 V, což ovlivňuje výpočty ztrát při vedení při návrhu obvodu.
Související odkazy
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení