AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 190 mA 250 V Infineon, SOT-89, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 145-9451
Výrobní číslo:: BSS192PH6327FTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 190 mA 250 V Infineon, SOT-89, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

3 652,00 Kč

(bez DPH)

4 419,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 16. listopadu 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	3,652 Kč	3 652,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 145-9451
Výrobní číslo:: BSS192PH6327FTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	190mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	250V
	Řada	SIPMOS
	Typ balení	SOT-89
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	20Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	4.9nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	1W
	Přímé napětí Vf	-1.1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	2.5mm
	Délka	4.5mm
	Výška	1.5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 190mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 250V
	Řada SIPMOS
	Typ balení SOT-89
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 20Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.9nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 1W
	Přímé napětí Vf -1.1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 2.5mm
	Délka 4.5mm
	Výška 1.5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

MOSFET Infineon řady SIPMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 250 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 190 mA – BSS192PH6327FTSA1

Tento tranzistor MOSFET je zařízení s P-kanálem navržené pro spínání napájení pro povrchovou montáž v náročných elektrických prostředích. Funguje jako tranzistor s režimem zesílení, který je vhodný pro aplikace vyžadující řízené vysokonapěťové spínání a manipulaci s nízkým nepřetržitým proudem, pracující v širokém rozsahu teplot pro použití v regulovaných systémech a automobilové elektronice.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 250 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 190 mA podporuje řízení nízkoproudové zátěže
• Maximální hodnota Rds 20 Ω snižuje ztráty při vedení v obvodech s nízkým proudem
• Typický náboj hradla 4.9 nC při Vgs zajišťuje předvídatelné spínací chování
• Limit hradla-zdroje 20 V umožňuje jednoduché návrhy budiče hradla
• Maximální ztrátový výkon 1 W zvládá tepelná omezení v kompaktních uspořádáních

Aplikace

• Vhodné pro přepínání napájecí dráhy snímače v automobilovém průmyslu
• Ideální pro nízkonapěťové obvody s ochranou proti obrácené polaritě
• Používá se s vysokonapěťovými podsystémy pro správu baterií
• Lze použít pro výměnu malých relé v řídicích modulech
• Vhodné pro rozvod napájení na kompaktních deskách s povrchovou montáží

Jaký tepelný rozsah může tolerovat v náročných podmínkách?

Pracuje spolehlivě v rozsahu -55 °C až 150 °C pro prostředí s delší teplotou.

Kolik kolíků obsahuje balení pro uspořádání desek plošných spojů?

Součást je dodávána se třemi kolíky, které umožňují standardní směrování SOT‐89.

Jaký typ balení by měli konstruktéři očekávat při montáži?

Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž SOT‐89 přizpůsobeném pro kompaktní desky.

Je zařízení hodnoceno podle kvalifikačních norem pro automobilový průmysl?

Splňuje normu AEC-Q101 a splňuje požadavky průmyslového stresového stínění pro použití v automobilovém průmyslu.