řada: SIPMOS MOSFET N-kanálový 200 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4475
- Výrobní číslo:
- SN7002NH6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
4 542,00 Kč
(bez DPH)
5 496,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,514 Kč | 4 542,00 Kč |
| 6000 - 12000 | 1,439 Kč | 4 317,00 Kč |
| 15000 + | 1,378 Kč | 4 134,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4475
- Výrobní číslo:
- SN7002NH6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 60V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.36W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 60V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.36W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady SIPMOS, napětí zdroje drain 60 V, odpor zdroje drain 5 Ω – SN7002NH6327XTSA2
Tento MOSFET je nízkosignálový N-kanálový tranzistor navržený pro spínací a řídicí úkoly v sestavách pro povrchovou montáž. Funguje jako zařízení s režimem zesílení a je navrženo tak, aby odolalo širokému rozsahu okolního prostředí, díky čemuž je vhodné pro elektroniku, která vyžaduje kompaktní, tepelně odolné spínací součásti.
Charakteristiky a výhody:
• Vypínací napětí 60 V pro vysokonapěťové spínání
• Rds(on) 5 Ω umožňující řízené vedení při nízkém proudu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 200 mA pro malé signálové zátěže
• Proudové napětí 1.2 V s podporou předvídatelného poklesu diody
• typické náboj hradla 1.5nC pro rychlejší přechod k hradlu
• Rozptýlení výkonu 0.36 W pro středně vysoké tepelné zatížení
• Rds(on) 5 Ω umožňující řízené vedení při nízkém proudu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 200 mA pro malé signálové zátěže
• Proudové napětí 1.2 V s podporou předvídatelného poklesu diody
• typické náboj hradla 1.5nC pro rychlejší přechod k hradlu
• Rozptýlení výkonu 0.36 W pro středně vysoké tepelné zatížení
Aplikace
• Vhodné pro obvody pro přepínání signálu při řízení baterie
• Ideální pro nízkoproudové vedení napájení ve spotřební elektronice
• Používá se s malými obvody rozhraní motoru a budiče
• Lze použít pro posun úrovně a multiplexování signálu
• Vhodné pro úpravu snímačů a izolaci signálu
• Ideální pro nízkoproudové vedení napájení ve spotřební elektronice
• Používá se s malými obvody rozhraní motoru a budiče
• Lze použít pro posun úrovně a multiplexování signálu
• Vhodné pro úpravu snímačů a izolaci signálu
Jaké pouzdro a typ montáže používá pro montáž PCB?
Dodává se v pouzdru SOT-23 a je určen pro montáž na povrch.
Jak se chová při extrémních teplotách v náročných prostředích?
Pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C a zajišťuje stabilitu v různých tepelných podmínkách.
Jaké limity napětí hradla a vypouštění musí být při návrhu dodržovány?
Napětí mezi bránou a zdrojem a mezi drainem a zdrojem je omezeno na 60 V, což určuje maximální aplikované napětí.
Existují průmyslové materiálové nebo procesní normy spojené se součástí?
Splňuje normu IEC 61249-2-21 a splňuje normu AEC Q101 pro ekvivalenci s kvalifikací pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: SIPMOS MOSFET SN7002NH6327XTSA2 N-kanálový 200 mA 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení