AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 330 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 145-8801
- Výrobní číslo:
- BSS83PH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
4 056,00 Kč
(bez DPH)
4 908,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 33 000 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,352 Kč | 4 056,00 Kč |
| 6000 - 12000 | 1,284 Kč | 3 852,00 Kč |
| 15000 + | 1,203 Kč | 3 609,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-8801
- Výrobní číslo:
- BSS83PH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 330mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 360mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.38nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 330mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 360mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.38nC | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIPMOS MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIPMOS MOSFET SN7002NH6327XTSA2 Typ N-kanálový 200 mA 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení