AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ N-kanálový 230 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 826-9285
Výrobní číslo:: BSS138NH6433XTMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ N-kanálový 230 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 500 kusech)*

723,00 Kč

(bez DPH)

875,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

177 500 jednotka(y) budou odesílané od 07. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
500 +	1,446 Kč	723,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 826-9285
Výrobní číslo:: BSS138NH6433XTMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	230mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	SIPMOS
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3.5Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.83V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	1nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	360mW
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	2.9mm
	Výška	1mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada SIPMOS
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3.5Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.83V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 1nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 360mW
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 2.9mm
	Výška 1mm
	Automobilový standard AEC-Q101

N-kanálový malý signál MOSFET 60 V v balení SOT23

Společnost Infineon Technologies nabízí automobilovým a průmyslovým výrobcům široké portfolio malých signálových MOSFET s kanálem N a P, které splňují a překračují nejvyšší požadavky na kvalitu ve známých průmyslových standardních pouzdrech. Díky bezkonkurenční úrovni spolehlivosti a výrobní kapacitě jsou tyto součásti ideální pro širokou škálu aplikací, včetně osvětlení LED, ADAS, řídicích jednotek těla, SMPS a řízení motoru.

Shrnutí funkcí

•Režim vylepšení

•Logická úroveň

•Jmenovitá hodnota laviny

•Rychlé spínání

•Jmenovitý výkon Dv/dt

•Bezolovnatá povrchová úprava

•V souladu s RoHS, bez obsahu halogenů

•Kvalifikace podle automobilových norem

•PPAP schopný

Výhody

•Nízký RDS(on) zajišťuje vyšší účinnost a prodlužuje životnost baterie

•Malá pouzdra šetří místo na desce plošných spojů

•Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě

Potenciální aplikace

•Automobilový průmysl

•Osvětlení

•Správa baterií

•Spínač zátěže

•DC-DC

•eMobility

•Ovládání motoru

•Palubní nabíječka

•Telekomunikace