AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSS138NH6327XTSA2 N-kanálový 230 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-7472
- Výrobní číslo:
- BSS138NH6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
4 536,00 Kč
(bez DPH)
5 490,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,512 Kč | 4 536,00 Kč |
| 6000 - 12000 | 1,436 Kč | 4 308,00 Kč |
| 15000 + | 1,345 Kč | 4 035,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-7472
- Výrobní číslo:
- BSS138NH6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 230mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 830mV | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 360mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 830mV | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 360mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.3mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání