AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSS127H6327XTSA2 N-kanálový 21 mA 600 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 753-2832
- Výrobní číslo:
- BSS127H6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (25 jednotky/-ek, v balení po 25 ks)*
177,35 Kč
(bez DPH)
214,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 22. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 7,094 Kč | 177,35 Kč |
| 250 - 600 | 4,881 Kč | 122,03 Kč |
| 625 - 1225 | 4,545 Kč | 113,63 Kč |
| 1250 - 2475 | 4,258 Kč | 106,45 Kč |
| 2500 + | 3,191 Kč | 79,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 753-2832
- Výrobní číslo:
- BSS127H6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 820mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 820mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 1.3mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tranzistor MOSFET Infineon řady SIPMOS, napětí zdroje vypouštění 600 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 21 mA – BSS127H6327XTSA2
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání pro povrchovou montáž v kompaktních elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot pro náročné prostředí a je vhodný pro aplikace vyžadující robustní zařízení s malým rozměrem a řízenými vlastnostmi pohonu hradla.
Charakteristiky a výhody:
• Odolnost 600 V odvod k zdroji zajišťuje schopnost spínání při vysokém napětí
• Typický náboj hradla 0.65 nC umožňuje rychlejší přepínání s nižší ztrátou
• Maximální hodnota RDS(on) 600 Ω snižuje únik ve vypnutém stavu ve vysokonapěťových obvodech
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 21 mA je vhodný pro funkce řízení nízkého proudu
• Maximální ztrátový výkon 500 mW umožňuje zvládnout tepelnou zátěž v kompaktních uspořádáních
• Jmenovité napětí VGS do 20 V umožňuje kompatibilitu s běžnými napětími pohonu hradla
• Typický náboj hradla 0.65 nC umožňuje rychlejší přepínání s nižší ztrátou
• Maximální hodnota RDS(on) 600 Ω snižuje únik ve vypnutém stavu ve vysokonapěťových obvodech
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 21 mA je vhodný pro funkce řízení nízkého proudu
• Maximální ztrátový výkon 500 mW umožňuje zvládnout tepelnou zátěž v kompaktních uspořádáních
• Jmenovité napětí VGS do 20 V umožňuje kompatibilitu s běžnými napětími pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové topologie pro převod výkonu
• Ideální pro snímače a pomocné obvody automobilové třídy
• Používá se s kompaktními spínacími regulátory a zpětnovazebními stupni
• Lze použít pro převod signálu na úrovni hradla v ochranných obvodech
• Vhodné pro moduly řízení napájení s malým tvarovým činitelem
• Ideální pro snímače a pomocné obvody automobilové třídy
• Používá se s kompaktními spínacími regulátory a zpětnovazebními stupni
• Lze použít pro převod signálu na úrovni hradla v ochranných obvodech
• Vhodné pro moduly řízení napájení s malým tvarovým činitelem
Jaké pouzdro a typ montáže používá pro montáž PCB?
Dodává se v pouzdru SOT-23 určeném pro montáž na povrch a pájení přetavením.
Jaké tepelné extrémy dokáže během provozu odolat?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C a podporuje široké tepelné výkyvy v náročných prostředích.
Kolik elektrických připojení je k dispozici pro integraci obvodů?
Součást používá tříkolíkovou konfiguraci kompatibilní s typickými diskretickými uspořádáními MOSFET.
Je zařízení kvalifikováno pro automobilové aplikace?
Splňuje normu AEC-Q101, což znamená vhodnost pro použití v automobilové elektronice.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIPMOS® MOSFET BSS126IXTSA1 N-kanálový 21 mA 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový