MPN

řada: UniFETMOSFET FDU7N60NZTU N-kanálový 5,5 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	5,5 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	600 V
	Typ balení	IPAK (TO-251)
	Řada	UniFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	1.25 Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	3V
	Maximální ztrátový výkon	90 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-25 V, +25 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Délka	6.8mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	13 nC při 10 V
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Šířka	2.5mm
	Počet prvků na čip	1
	Výška	7.57mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 5,5 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 600 V
	Typ balení IPAK (TO-251)
	Řada UniFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 1.25 Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 3V
	Maximální ztrátový výkon 90 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -25 V, +25 V
	Materiál tranzistoru Si
	Délka 6.8mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 13 nC při 10 V
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Šířka 2.5mm
	Počet prvků na čip 1
	Výška 7.57mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.