řada: MDmesh Výkonový MOSFET STU7NM60N N-kanálový 5 A 600 V STMicroelectronics, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 761-0247
- Výrobní číslo:
- STU7NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
326,04 Kč
(bez DPH)
394,51 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 65,208 Kč | 326,04 Kč |
| 50 - 120 | 56,21 Kč | 281,05 Kč |
| 125 + | 44,08 Kč | 220,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-0247
- Výrobní číslo:
- STU7NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | IPAK (TO-251) | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.9Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Šířka | 2.4mm | |
| Normy/schválení | ECOPACK | |
| Výška | 6.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení IPAK (TO-251) | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.9Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Šířka 2.4mm | ||
Normy/schválení ECOPACK | ||
Výška 6.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh Výkonový MOSFET N-kanálový 5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperFET II MOSFET FCU900N60Z N-kanálový 4.5 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1