řada: MDmesh, SuperMESH MOSFET STD1NK60-1 Typ N-kanálový 1 A 600 V STMicroelectronics, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 761-2704
- Výrobní číslo:
- STD1NK60-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
81,41 Kč
(bez DPH)
98,505 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 3 945 jednotka(y) budou odesílané od 11. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 16,282 Kč | 81,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-2704
- Výrobní číslo:
- STD1NK60-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ balení | IPAK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 6.2 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada MDmesh, SuperMESH | ||
Typ balení IPAK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 6.2 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ N-kanálový 1 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60Z-1 Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový